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| 产品特点 |
- InGaAs平面结构PIN探测器
- GaAs IC带AGC跨阻抗放大电路
- 自动增益控制，宽动态范围
- 工作波长1100-1650nm
- 标准14脚双列直插封装，带FC/PC单模或多模光纤连接器
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| 应用领域 |
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| 性能指标（Wavelength=1310nm Ta= 25℃ Vcc=3.3V） |
参数 |
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1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
灵敏度(dBm) |
典型 |
-52 |
-51 |
-48 |
-47 |
-43 |
-40 |
最大 |
-50 |
-49 |
-46 |
-45 |
-42 |
-39 |
带宽(MHz,-3dB) |
典型 |
7 |
13 |
33 |
50 |
120 |
180 |
跨阻抗(Kohm) |
典型 |
800 |
550 |
250 |
140 |
70 |
30 |
灵敏度变化(dB,25-65℃) |
最大 |
1.5 |
最大入射光功率下输出电压(V)
(Vp-p,负载Rl=50ohm) |
典型 |
1.0 |
最大 |
1.2 |
最大输入光功率(dBm) |
典型 |
0 |
最小 |
-3 |
输出阻抗(ohm) |
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<50 |
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| 通用指标 |
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最小 |
最大 |
探测器暗电流 (Na/-5V) |
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5 |
探测器响应度 (A/W,1300nm,-5V) |
0.80 |
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灵敏度变化 (Db,25 -65 ℃ ) |
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1.5 |
波长范围 (nm) |
1100 |
1650 |
正向供电电压 V |
4.75 |
5.25 |
反向供电电压 V |
-5.25 |
-4.75 |
功耗 (mW) |
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120 |
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| 极限值（T=25℃） |
光纤耦合功 mW |
5 |
反向光电流 mA |
5 |
反向偏压 V |
-15 |
正向电流 mA |
2 |
正向供电电压 V |
7 |
反向供电电压 V |
-7 |
工作温度 ℃ |
-20-+70 |
存贮温度 ℃ |
-40-+85 |
引线焊接温度 ℃ |
260 |
焊接温度 ℃ |
10 |
尾纤抗拉强度 kgf |
1 |
尾纤最小弯曲半径 mm,min |
30 |
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| 机械尺寸图 |
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